每日經濟新聞 2025-04-01 14:07:09
每經AI快訊，意法半導體（簡稱ST）與英諾賽科共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發(fā)與制造協議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。根據協議，雙方將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發(fā)計劃，并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領域得到廣泛應用的光明前景。
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